BSC030N08NS5ATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC030N08NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC0504NSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC030N08NS5ATMA1 BSC0504NSIATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.55 $0.00
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type N-Channel Power MOSFET —
Technology OptiMOS 5 —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) 161 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max at VGS=10 V 3.0 mOhm —
RDS(on) max at VGS=7 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] —
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) 2.5 W —
Power Dissipation (TC=25C) 139 W —
Operating Temperature Range (TJ) -55C to +150C —
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant unknown
할로겐 프리 Yes —
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic Standard 10V, compatible with 12V drive —
Optimized Application Synchronous Rectification —
트랜지스터 유형 — N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
핀 수 — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
게이트 임계 전압 — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
열 저항 — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

데이터시트 & 자료

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