BSC039N06NSATMA1 vs IAUZ30N06S5L140ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC039N06NSATMA1 제조: Infineon 및 IAUZ30N06S5L140ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC039N06NSATMA1 | IAUZ30N06S5L140ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.46 | $0.96 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | -55°C to +175°C |
| 패키지 | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-32 (S3O8, 3x3 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 30 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 33 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | — | 14 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 12.2 nC @ VGS=10 V |
| Output Capacitance (Coss) | — | 888 pF @ VDS=30 V |
| Technology Family | — | OptiMOS 5 |
| Automotive Grade | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage Max | — | ±20 V |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (RoHS compliant) |