BSC072N08NS5ATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC072N08NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC021N08NS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC072N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.46 $0.81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family BSC072N08NS5 (OptiMOS 5) —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 74 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 7.2 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant Compliant (Pb-free)
Shipping Pack Tape & Reel (ATMA1) —
Standard Pack Quantity 5000 —
Part Number — BSC021N08NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 226 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 2.1 mΩ
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) — 214 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
Total Gate Charge Q_G typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
R_thJC thermal resistance max — [DATA_NEEDED: R_thJC]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Delivery Form — Tape & Reel (T&R)

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