BSC0902NSATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC0902NSATMA1 제조: Infineon 및 BSC047N08NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC0902NSATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.78 | $0.46 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| RDS(on) @ VGS=10V max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| 패키지 | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC qualified for target applications | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free lead plating) | — |
| 할로겐 프리 | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | 100% tested |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |