BSC0902NSIATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC0902NSIATMA1 제조: Infineon 및 BSC094N06LS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC0902NSIATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.32 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction) —
패키지 PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
Technology — OptiMOS™ 5 (logic-level)
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +150 °C

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