BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSZ031NE2LS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC098N10NS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSZ031NE2LS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.26 $0.55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 —
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max +/-]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
동작 접합 온도 -55 C to +150 C —
패키지 PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL] 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 60 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9.8 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc=25C) — 69 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 63 A (Tc=25C)
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 240 A (Tc=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) typ — 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) max — 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C)
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Shipping Packaging — Tape & Reel (T/R)

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