EP1S30F780C7AA vs EP1S40F780C7 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP1S30F780C7AA 제조: Intel 및 EP1S40F780C7 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP1S30F780C7AA | EP1S40F780C7 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 최종 구매 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $142.00 | $1,150.00 |
| Family | Stratix | — |
| Logic Elements | 32,470 | 41,250 typical |
| Total Memory Bits | 3,317,184 | — |
| Maximum User I/O | 597 | — |
| 패키지 | 780-ball FCBGA (FineLine BGA) | 780-ball FBGA (F780) |
| Speed Grade | -7 | C7 |
| 동작 온도 | 0C to +85C (commercial) | 0 C to 85 C (Commercial) |
| Core Voltage | 1.5 V (VCCINT) | — |
| I/O Standards Supported | LVTTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, PCI, PCI-X | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL, PCI |
| DSP Blocks | Embedded multiplier blocks (9x9, 18x18, 36x36) | Yes (up to 94 GMACs/s) |
| DSP Performance | Up to 2.1 GMACS at -7 speed grade | — |
| PLLs | Multi-PLL architecture | — |
| Configuration Modes | Passive Serial, Fast Passive Parallel, JTAG | — |
| Process Node | 0.13 µm SRAM | — |
| MSL 레벨 | 3 (168 Hours) | 3 (168 hours) |
| Packaging | Tray | — |
| Device Family | — | Stratix |
| Embedded Memory | — | 1.7 Mbits (TriMatrix) |
| User I/O Count | — | 615 |
| Package Dimensions | — | 29 x 29 mm |
| Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| Supply Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| Logic Family | — | CMOS |
| PLL Channels | — | Up to 40 |
| Configuration Mode | — | JTAG, Passive Serial, Passive Parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount (BGA) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |