EP1S40F780C8N vs EP1S40F780C7 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP1S40F780C8N 제조: Intel 및 EP1S40F780C7 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP1S40F780C8N | EP1S40F780C7 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $130.00 | $1,150.00 |
| Family | Stratix | — |
| Series | EP1S | — |
| Logic Elements | 41,250 | 41,250 typical |
| Embedded Memory | 3,423,744 bits | 1.7 Mbits (TriMatrix) |
| Embedded Multipliers | 615 (18-bit x 18-bit) | — |
| 패키지 | 780-ball FCBGA (FineLine BGA), 29 mm x 29 mm, 1 mm pitch | 780-ball FBGA (F780) |
| Logic Family | CMOS | CMOS |
| Supply Voltage (Core) | 1.5 V | — |
| Speed Grade | C8 (commercial) | C7 |
| 동작 온도 | 0 °C to +85 °C | 0 C to 85 C (Commercial) |
| I/O Standard Support | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL, PCI, PCI-X | — |
| Maximum LVDS Data Rate | 840 Mbps | — |
| PLL Blocks | Up to 12 | — |
| 메모리 유형 | TriMatrix (MRAM, M512, M4K blocks) | — |
| External Memory Interface | DDR, DDR-II, QDR, SDRAM | — |
| Configuration Method | Passive serial, Fast passive parallel, JTAG | — |
| Design Software | Quartus II | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Device Family | — | Stratix |
| DSP Blocks | — | Yes (up to 94 GMACs/s) |
| User I/O Count | — | 615 |
| Package Dimensions | — | 29 x 29 mm |
| Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| Supply Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| PLL Channels | — | Up to 40 |
| Configuration Mode | — | JTAG, Passive Serial, Passive Parallel |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL, PCI |
| MSL 레벨 | — | 3 (168 hours) |