EP2AGX95EF35I3G vs EP2AGX95EF35I3N 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP2AGX95EF35I3G 제조: Intel 및 EP2AGX95EF35I3N 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP2AGX95EF35I3G | EP2AGX95EF35I3N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 최종 구매 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $280.00 | $1,320.00 |
| Series | Arria II GX | — |
| Logic Elements | 89,178 | 89,178 |
| Total RAM Bits | 6,839,296 | — |
| Number of LABs/CLBs | 452 | — |
| User I/O Count | 452 | — |
| 패키지 | 1152-BBGA, FCBGA | 1152-ball FC-FBGA (EF35, 35 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | -40C to +100C (Industrial) | -40C to +100C (Industrial) |
| 공급 전압 | 0.9 V core, 1.1 V/1.2 V/1.5 V/1.8 V/2.5 V/3.0 V I/O | — |
| Transceiver Count | Up to 12 channels | — |
| Max Transceiver Data Rate | 6.375 Gbps | — |
| DSP Blocks | 484 (18x18 multipliers) | — |
| Embedded Hard IP | PCI Express Gen1/Gen2 endpoint/root-port | — |
| Memory Interfaces | DDR3 SDRAM up to 800 Mbps, DDR2, QDR II+ | — |
| Process Technology | 40 nm TSMC | 40 nm |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Family | — | Arria II GX |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 3,747 |
| Embedded Memory | — | 4,518 Kbits |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 56 |
| User I/Os | — | 452 |
| Transceiver Channels | — | 12 (up to 3.75 Gbps) |
| Embedded PLLs | — | 6 |
| Core Voltage | — | 0.9 V |
| PCIe Hard IP | — | Yes (x1, x4 Gen1) |
| DDR3 Memory Interface | — | Up to 800 MHz |
| Configuration | — | Passive Serial / Fast Passive Parallel / JTAG |