EP3SE50F780I4LG vs EP3SE110F780I4L 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP3SE50F780I4LG 제조: Intel 및 EP3SE110F780I4L 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP3SE50F780I4LG | EP3SE110F780I4L |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | NRND | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2,380.00 | $1,395.00 |
| Series | Stratix III E | — |
| Family | Stratix III | Stratix III E |
| Logic Elements | 47,500 | 107,500 |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | 19,000 | — |
| Embedded Memory | 5.49 Mbit | 8,936,448 bits (8.9 Mbit) |
| Maximum User I/Os | 488 | — |
| 패키지 | 780-ball FCBGA (FBGA-780) | 780-pin FC-FBGA (Flip-Chip BGA) |
| Operating Supply Voltage (Core) | 1.1 V | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (FC-FBGA) |
| 동작 온도 범위 | -40 C to +100 C | — |
| Process Node | 65 nm | — |
| DSP Blocks | Yes (dedicated, count not in source data) | — |
| High-Speed Transceivers | Multi-gigabit, count not in source data | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (G suffix = Pb-free) | — |
| Packaging | Tray | — |
| 메모리 유형 | Embedded SRAM block RAM | — |
| LABs (Logic Array Blocks) | — | 4,300 |
| User I/Os | — | 488 |
| Maximum Operating Frequency | — | 375 MHz |
| Process Technology | — | 65 nm CMOS |
| Core Voltage | — | 0.9 V |
| Package Body Size | — | 29 mm × 29 mm |
| Ball Pitch | — | 1.0 mm |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40 °C to +100 °C |
| RoHS 상태 | — | Compliant (per legacy Altera data) |
| Product Status | — | Not Recommended for New Designs (NRND) |