EPM570M100C5N vs EPM570ZM100C6N 비교
다음의 상세 나란히 비교: EPM570M100C5N 제조: Intel 및 EPM570ZM100C6N 제조: Altera. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EPM570M100C5N | EPM570ZM100C6N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Altera |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $11.85 | $14.98 |
| Family | MAX II | — |
| Series | EPM570 | MAX II |
| Device Type | CPLD (Complex Programmable Logic Device) | — |
| Macrocell Count | 440 | — |
| Logic Elements | 570 | — |
| User I/Os | 76 | 76 |
| Number of Logic Blocks / Array Blocks | [DATA_NEEDED: number of LABs] | — |
| 핀 수 | 100 | — |
| 패키지 | 100-MBGA (FineLine BGA, 6 x 6 mm, 0.5 mm pitch) | 100-ball FineLine BGA (6x6 mm, 0.5 mm pitch) |
| Maximum Frequency (fMAX) | 201.1 MHz | — |
| Pin-to-Pin Propagation Delay | 5.4 ns | — |
| Operating Supply Voltage (Core) | 2.5 V / 3.3 V | — |
| I/O Voltage Support | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (MultiVolt) | — |
| On-Chip User Flash Memory (UFM) | 8 Kbits | — |
| Process Technology | 0.18 um, 6-layer-metal flash | 0.18 µm 6-layer-metal flash |
| Programming Interface | JTAG (IEEE 1149.1) and ISP | — |
| 동작 온도 범위 | 0 C to +85 C (Commercial) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Lead-Free / Compliant | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Device Family | — | EPM570 (MAX II Z) |
| Logic Elements (LEs) | — | 570 |
| Equivalent Macrocells | — | 440 |
| Propagation Delay (tPD) | — | 9 ns |
| Internal Supply Voltage (VCCINT) | — | 1.71 V to 1.89 V |
| I/O Supply Voltage (VCCIO) | — | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| User Flash Memory (UFM) | — | 8 Kbits |
| Programmable Type | — | In System Programmable (Flash) |
| 동작 온도 | — | -40 °C to +125 °C (industrial) |
| MSL 레벨 | — | 3 |
| Lead Free / RoHS | — | Lead Free, RoHS Compliant |
| Design Software | — | Altera Quartus II |
| JTAG Standard | — | IEEE Std 1149.1 / IEEE 1532 |