H58G46AK6PX033N vs H58G56AK6PX032N 비교
다음의 상세 나란히 비교: H58G46AK6PX033N 제조: SK hynix 및 H58G56AK6PX032N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H58G46AK6PX033N | H58G56AK6PX032N |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $11.35 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | Volatile |
| Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| 메모리 구성 | x16 | 512M x 64 (x16 device configuration) |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps/pin | 6400 Mbps per pin |
| Interface Standard | JEDEC LPDDR5 | — |
| VDD2 Supply Voltage | 1.8 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.05 V | — |
| VDD1 (Core) Supply Voltage | 0.5 V | — |
| 패키지 | 315-ball FBGA | 315-FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Grade | Automotive | Automotive |
| Application Domain | Mobile, automotive, industrial controllers, computing modules | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | LPDDR5 SDRAM |
| 메모리 크기 | — | 4 GB (32 Gb) |
| Supply Voltage (VDD2 / VDDQ / VDD1) | — | 1.8 V / 1.05 V / 0.5 V |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Product Status | — | Active |
| Packaging | — | Tray |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |