H58G66CK8BX147N vs H58G56AK6QX032 비교
다음의 상세 나란히 비교: H58G66CK8BX147N 제조: SK hynix 및 H58G56AK6QX032 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H58G66CK8BX147N | H58G56AK6QX032 |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $34.60 | $20.60 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5 SDRAM (DRAM) |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | 32 Gbit (4 GB) |
| 메모리 구성 | x8 (single channel) | 512M x64 |
| Maximum Data Rate | 8533 Mbps | — |
| Supply Voltage Domain | 0.5 V to 1.8 V | — |
| Core Voltage Class | 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) | — |
| 패키지 | 315-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Standard Compliance | JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) | — |
| 인터페이스 | LPDDR5/LPDDR5X protocol | — |
| Channel Configuration | Single channel (x8 or x16 capable family) | — |
| Power Management | Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) | — |
| Application Domain | Smartphone, AI edge, server-class mobile computing | Automotive / Industrial / Computing |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh Scheme | LPDDR5 per-bank / all-bank refresh | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| 데이터 속도 | — | 6400 Mbps/pin |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Interface Supply (VDD2) | — | 1.8 V |
| Bus Width | — | 64-bit (x64) |
| Peak Bandwidth (per device) | — | 51.2 GB/s |
| Grade | — | Automotive |
| Generation | — | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 standard) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |