H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NCJR-PBC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NCJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NCJR-PBC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.05 $3.30
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
메모리 구성 512M x 16 —
공급 전압 1.2 V —
인터페이스 DDR4 (JEDEC-standard) Parallel, synchronous to both clock edges
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Memory Organization — 8Gb x16 (512M x 16)
메모리 크기 — 8 Gbit
데이터 속도 — [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix]
Family Data Rate Range — Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
패키지 — FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask Function — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant)

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