H5AN8G8NAFR-UHC vs H5AN8G8NAFR-RDC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NAFR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHC H5AN8G8NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G8NAFR-UHC H5AN8G8NAFR-RDC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $2.95
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
메모리 구성 1G x 8 1G x 8 (x8)
데이터 속도 2400 Mbps/pin (PC2400) 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (DDR4 standard) —
인터페이스 CMOS, synchronous DDR4 (Double Data Rate 4)
패키지 FBGA-78 (PBGA78) 78-ball FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Speed Grade Suffix UHC —
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Application Class Main memory (high density, high bandwidth) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

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