H5AN8G8NAFR-VKC vs H5AN8G8NAFR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHC H5AN8G8NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.15 $0.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
메모리 구성 1G x 8 1G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (VKC bin) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V (DDR4 standard)
인터페이스 SSTL12 CMOS, synchronous
Burst Length 8 (BL8) —
Bank Group Architecture Supported (per DDR4 JEDEC architecture) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes (DLL for output skew control) —
패키지 78-ball FBGA FBGA-78 (PBGA78)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Process Technology CMOS —
Recommended Application Main memory requiring large density and high bandwidth —
데이터 속도 — 2400 Mbps/pin (PC2400)
Family — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Speed Grade Suffix — UHC
Application Class — Main memory (high density, high bandwidth)
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: Refresh specification]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL Level]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청