H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-VKI 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NCJR-VKI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-VKI
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.88 $4.85
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
메모리 구성 1G x 8 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
패키지 FBGA-78 FBGA-78
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Yes (per distributor record) —
Lead-Free Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) —
할로겐 프리 Yes —
Part Life Cycle Code Active —
Access Type Synchronous, both clock edges (DDR) —
Memory Configuration Bank-group architecture DDR4 —
Die Revision CJR (C-die family) —
Manufacturer SK hynix Inc. —
메모리 크기 — 8 Gb
Memory Organization — 1G x8
데이터 속도 — 2666 Mbps
공급 전압 — 1.2 V
인터페이스 — Parallel
Memory Format — DRAM
Volatile — Yes
Grade — Industrial (I suffix)
Technology — CMOS
Product Family — H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active
RoHS 상태 — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

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