H5ANAG4NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-RDC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG4NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK hynix

H5ANAG6NBJR-RDC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG4NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-RDC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $9.60
Manufacturer SK hynix —
Product Family H5ANAG4NBJR-xxC 16Gb DDR4 SDRAM —
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
인터페이스 DDR4 parallel interface Synchronous, double data rate
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD value] —
Speed Grade Suffix PBC (per SK hynix part number decoder) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing for H5AN4G6NBJR-PBC family) —
Lead Free Yes (PBC suffix, per SK hynix part number decoder) —
할로겐 프리 Yes (PBC suffix, per SK hynix part number decoder) —
RoHS 상태 Compliant (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Configuration Support x4 / x8 / x16 per family organization options —
Memory Organization — 16Gb x16
데이터 속도 — 2666 Mbps (speed grade -RDC)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Clocking — Fully synchronous to both clock edges
패키지 — FBGA (Ball Grid Array), surface mount
Technology — CMOS
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM
Application — Main memory
동작 온도 — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
On-Die Termination (ODT) — Supported (DDR4 feature)
Bank Group Architecture — DDR4 bank groups (per JEDEC DDR4)

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