H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NCR-RDC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-PBC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NCR-RDC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $70.20 $72.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) —
메모리 구성 x16 (1G x 16) 1G x 16
공급 전압 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
패키지 FBGA-96 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 balls —
동작 온도 0C to 85C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] 0.074 A
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
메모리 크기 — 16 Gb (2 GB)
데이터 속도 — 3200 Mbps (PC4-25600 class)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Number of Terminals (Balls) — 96
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

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