H5ANAG6NCR-XNC vs H5ANAG6NCMR-XNC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-XNC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCMR-XNC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NCR-XNC | H5ANAG6NCMR-XNC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $68.18 | $31.40 |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) |
| 메모리 크기 | 16 Gbit | 16 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 16 | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) | — |
| 패키지 | FBGA-96 | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 데이터 속도 | DDR4 family, up to 3200 Mbps per H5ANAG6NCJR sibling [DATA_NEEDED: exact speed grade of -XNC suffix] | 3200 Mbps/pin |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | RoHS Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS |
| Power Class | — | Normal Power |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Speed Grade | — | XN (3200) |
| Product Status | — | Active |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |