H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG8NCMR-XNI 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NCJR-XNC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NCMR-XNI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ 활성
SK hynix
H5ANAG8NCMR-XNI H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-XNI ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCMR-XNI
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $65.63 $4.15
메모리 유형 DDR4 SDRAM Volatile (DRAM)
Density 16 Gbit —
메모리 구성 2G x 8 —
데이터 속도 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 Mbps (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
패키지 FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-78
동작 온도 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Process Node 1z nm (non-EUV) —
Die Bit Density 0.296 Gb/mm2 —
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) 25.6 GB/s at DDR4-3200 —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh rate]
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Base Part Number Family H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) —
Speed Grade Suffix -XNC (0~95C commercial) —
Memory Format — DDR4 SDRAM
메모리 크기 — 16 Gb
Memory Organization — x8
인터페이스 — Parallel
Packaging — Tray
Product Status — Active
Manufacturer — SK Hynix
Technology — CMOS DDR4 SDRAM

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