H5ANAG8NCR-RDC vs H5ANAG8NCR-VKC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG8NCR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG8NCR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG8NCR-RDC H5ANAG8NCR-RDC - DDR4 SDRAM 16Gb 2Gx8 1.2V | SK hynix

H5ANAG8NCR-RDC - DDR4 SDRAM 16Gb 2Gx8 1.2V | SK hynix

H5ANAG8NCR-RDC ✓ 활성
SK hynix
H5ANAG8NCR-VKC H5ANAG8NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM 1.2V FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCR-VKC - 16Gb DDR4 SDRAM 1.2V FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCR-VKC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG8NCR-RDC H5ANAG8NCR-VKC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.00 $28.13
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
메모리 구성 2G x 8 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
패키지 78-ball FBGA FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 DDR4 (fully synchronous, both clock edges) —
Family H5ANAG8N 16Gb DDR4 —
Application Segment Main memory (server, networking, industrial, embedded) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Max Data Rate [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] [DATA_NEEDED: Mbps per pin for VKC grade]
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — [DATA_NEEDED: organization (e.g. 2G x8)]
메모리 크기 — 16 Gbit
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Nominal Supply Voltage — 1.2 V
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Reset Function — Asynchronous reset
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC / CA Parity — Yes
Auto Precharge — Yes
Standby Current — [DATA_NEEDED: IDD current spec]

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