H5CG24AGBDX022N vs H5CG34MEBDX030N 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5CG24AGBDX022N 제조: SK hynix 및 H5CG34MEBDX030N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5CG24AGBDX022N H5CG24AGBDX022N - 16Gb DDR5 SDRAM DRAM | SK hynix

H5CG24AGBDX022N - 16Gb DDR5 SDRAM DRAM | SK hynix

H5CG24AGBDX022N ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5CG24AGBDX022N H5CG34MEBDX030N
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs DDR5
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $4.42
Manufacturer SK hynix SK hynix
Product Family H5CG24 series DDR5 SDRAM —
메모리 유형 DDR5 SDRAM —
Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit (2 GB)
데이터 속도 [DATA_NEEDED: data rate / speed bin] —
메모리 구성 [DATA_NEEDED: x8 or x16] x8 or x16 configuration [DATA_NEEDED: exact bus width]
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD value] —
VDDQ Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CL value] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Package Type [DATA_NEEDED: FBGA package code and body size] FBGA surface mount
실장 유형 Surface Mount —
On-Die ECC Yes (DDR5 generation feature) Yes (DDR5 ODECC)
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: commercial/industrial range]
인터페이스 유형 SSTL / POD (DDR5 per JEDEC) —
RoHS 상태 unknown —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
Product Type — DDR5 SDRAM Component
Memory Series — H5CG3 series (B-die)
DRAM Process Node — 1b-nanometer-class
Supply Voltage VDD/VDDQ — 1.1 V
Wordline Boost Supply VPP — 1.8 V
인터페이스 — DDR5 (JEDEC double data rate 5)
Data Rate Class — [DATA_NEEDED: speed grade per -030 suffix]
Sub-Channel Architecture — Dual independent 32/40-bit sub-channels
ECC Feature — On-die ECC, no host overhead
Typical Application — Server RDIMM / LRDIMM components

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