H5CG34MEBDX030 vs H5CG46MEBDX017N 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5CG34MEBDX030 제조: SK hynix 및 H5CG46MEBDX017N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5CG34MEBDX030 | H5CG46MEBDX017N |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.75 | $4.10 |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Product Family | H5CG (DDR5 SDRAM) | — |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | [DATA_NEEDED: device density (Gb)] | 16 Gbit |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: x organization] | 1G x 16 |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: MT/s speed bin] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Supply Voltage VDD | [DATA_NEEDED: VDD (typ. 1.1 V class for DDR5)] | — |
| 패키지 | FBGA (fine-pitch BGA), surface mount | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-die ECC | Yes (DDR5 standard feature) | — |
| Burst Length | 16 (DDR5 standard) | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | DDR5 architecture (8 bank groups) |
| 인터페이스 유형 | Parallel, DDR5 point-to-point | DDR5 (synchronous, double data rate) |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 데이터 속도 | — | 4800 Mbps/pin |
| Speed Grade | — | DDR5-4800 |
| VDD Supply Voltage | — | 1.1 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.1 V |
| Package Type | — | FCBGA (flip-chip ball grid array) |
| On-Die ECC | — | Yes (DDR5 standard feature) |
| Part Family | — | H5CG46 series |
| Manufacturer Status | — | MP (mass production) |