H5CG44MEBDX014N vs H5CG34MEBDX030 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5CG44MEBDX014N 제조: SK hynix 및 H5CG34MEBDX030 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5CG44MEBDX014N | H5CG34MEBDX030 |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $5.75 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | [DATA_NEEDED: device density (Gb)] |
| 메모리 구성 | 4G x4 | [DATA_NEEDED: x organization] |
| 데이터 속도 | 4800 Mbps/pin (DDR5-4800) | — |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA (fine-pitch BGA), surface mount |
| Die Generation | 1st-gen DDR5 M-die | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | JEDEC DDR5 | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL at DDR5-4800] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme detail] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging Type | [DATA_NEEDED: tape and reel or tray] | — |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Product Family | — | H5CG (DDR5 SDRAM) |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: MT/s speed bin] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Supply Voltage VDD | — | [DATA_NEEDED: VDD (typ. 1.1 V class for DDR5)] |
| On-die ECC | — | Yes (DDR5 standard feature) |
| Burst Length | — | 16 (DDR5 standard) |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, DDR5 point-to-point |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |