H5CG44MEBDX014N vs H5CG34MEBDX030N 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5CG44MEBDX014N 제조: SK hynix 및 H5CG34MEBDX030N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
SK hynix
H5CG34MEBDX030N - DDR5 16Gb SDRAM Component | SK hynix | Server Memory
H5CG34MEBDX030N ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | H5CG44MEBDX014N | H5CG34MEBDX030N |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | DDR5 |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $4.42 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | — |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit (2 GB) |
| 메모리 구성 | 4G x4 | x8 or x16 configuration [DATA_NEEDED: exact bus width] |
| 데이터 속도 | 4800 Mbps/pin (DDR5-4800) | — |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | — |
| Die Generation | 1st-gen DDR5 M-die | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 인터페이스 | JEDEC DDR5 | DDR5 (JEDEC double data rate 5) |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: commercial/industrial range] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL at DDR5-4800] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme detail] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Packaging Type | [DATA_NEEDED: tape and reel or tray] | — |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Product Type | — | DDR5 SDRAM Component |
| Memory Series | — | H5CG3 series (B-die) |
| DRAM Process Node | — | 1b-nanometer-class |
| Supply Voltage VDD/VDDQ | — | 1.1 V |
| Wordline Boost Supply VPP | — | 1.8 V |
| Data Rate Class | — | [DATA_NEEDED: speed grade per -030 suffix] |
| On-Die ECC | — | Yes (DDR5 ODECC) |
| Sub-Channel Architecture | — | Dual independent 32/40-bit sub-channels |
| Package Type | — | FBGA surface mount |
| ECC Feature | — | On-die ECC, no host overhead |
| Typical Application | — | Server RDIMM / LRDIMM components |