H5CG48MEBDX014N vs H5CG34MEBDX030 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5CG48MEBDX014N 제조: SK hynix 및 H5CG34MEBDX030 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5CG48MEBDX014N H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | SK Hynix

H5CG48MEBDX014N ✓ 활성
SK hynix
H5CG34MEBDX030 H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 - DDR5 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5CG34MEBDX030 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5CG48MEBDX014N H5CG34MEBDX030
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $41.68 $5.75
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit [DATA_NEEDED: device density (Gb)]
메모리 구성 2G x 8 [DATA_NEEDED: x organization]
데이터 속도 4800 Mbps —
공급 전압 1.1 V —
Row Address 12 bits —
Column Address 9 bits —
Die Generation M-die —
동작 온도 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
패키지 FBGA-82 (11 x 10 mm) FBGA (fine-pitch BGA), surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 유형 Parallel, DDR5 Parallel, DDR5 point-to-point
Memory Class Synchronous DRAM —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Speed Class DDR5-4800 (PC5) —
Manufacturer — SK hynix
Product Family — H5CG (DDR5 SDRAM)
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: MT/s speed bin]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CL value]
Supply Voltage VDD — [DATA_NEEDED: VDD (typ. 1.1 V class for DDR5)]
On-die ECC — Yes (DDR5 standard feature)
Burst Length — 16 (DDR5 standard)
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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