H5TC4G63CFR-H9A vs MT41K256M16HA-125 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-H9A 제조: SK hynix 및 MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63CFR-H9A MT41K256M16HA-125
브랜드 SK hynix Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $6.36
메모리 유형 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Memory Density 4Gb (4294967296 bit) —
메모리 구성 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V + 0.100 / - 0.067V —
패키지 96-ball TFBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Package Shape RECTANGULAR —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
할로겐 프리 Yes —
데이터 속도 [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] —
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency] 11
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Differential Clock Inputs Yes (CK, CK) —
Differential Data Strobe Yes (DQS, DQS) —
On-Chip DLL Yes —
DM (Data Mask) Yes —
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
데이터 버스 폭 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
공급 전압 — 1.35 V
핀 수 — 96
실장 유형 — Surface Mount
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

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