H5TC4G63CFR-XXL vs H5TC4G63CFR-PBA 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-xxL 제조: SK hynix 및 H5TC4G63CFR-PBA 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ 활성
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBA H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-PBA ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-PBA
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $6.23
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
공급 전압 1.35V —
패키지 96-pin FBGA 96-ball FBGA (PBGA96)
데이터 속도 [DATA_NEEDED: data rate] —
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Burst Length 8 (with burst chop) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
할로겐 프리 Yes Yes
실장 유형 Surface Mount —
핀 수 96 —
인터페이스 DDR3L —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

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