H5TC4G63MFR-PBA vs MT41K256M16HA-15EM:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63MFR-PBA 제조: SK hynix 및 MT41K256M16HA-15EM:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5TC4G63MFR-PBA | MT41K256M16HA-15EM:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $5.95 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1333 Mbps (DDR3L-1333) |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | — |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| 공급 전압 | — | 1.35 V (1.5V compatible) |
| CAS 레이턴시 | — | 15 |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 핀 수 | — | 96 |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| 인터페이스 | — | Parallel |