IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N10S5L054ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN08S7L033ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ 활성
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.92 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IAUC automotive family) Automotive OptiMOS 7
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS value] —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 101 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 130 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5.4 mΩ —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C -55°C to +175°C (TJ)
패키지 PG-TDSON-8-34 (surface mount) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 7 trench MOSFET
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)

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