IAUC120N04S6L005ATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6L005ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7L019ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.92 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUC120N04S6L005ATMA1 —
Technology OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 120 A (Tj) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 187 W —
RDS(on) max at VGS=10 V 0.55 mΩ at 60 A —
RDS(on) max at VGS=4.5 V 0.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Total Gate Charge (Qg) 177 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 11.203 nF at 25 V —
Output Capacitance (Coss) 2.982 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 175 pF —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8-53 (5x6 mm) PG-TDSON-8-33
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant Compliant
Series — OptiMOS™ 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
동작 온도 — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
열 저항, 접합-주변 — [DATA_NEEDED: RthJA value]
MSL 레벨 — 1
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

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