IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7L050HATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.60 $0.83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
패키지 PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (family-level, automotive grade)
MSL 레벨 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Series — OptiMOS™ 7
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
RoHS 상태 — Compliant
Technology — Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V

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