IAUC120N04S6N010ATMA1 vs IAUC100N04S6N022ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6N010ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N04S6N022ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUC120N04S6N010ATMA1 | IAUC100N04S6N022ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.68 | $0.82 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | 150 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 150 W | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.0 mΩ | — |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | 1.03 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | 3 V (at 90 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6, N-Channel MOSFET |
| 패키지 | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) | PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q100 (IAUC family) |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) | -55C to +175C (junction) |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Gate Drive Recommendation | 10 V VGS for full RDS(on) spec | — |
| Polarity | Single N-channel | N-Channel enhancement mode |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 75 W |
| R_DS(on) (typ at V_GS=10V) | — | 2.2 mOhm |
| 핀 수 | — | 8 |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge Q_g | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free | — | Yes |