IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5L015ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N10S5L054ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ 활성
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IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.92 $1.92
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 trench
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W —
동작 온도 범위 -55C to +175C (Tj) -55°C to +175°C
패키지 PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-34 (surface mount)
실장 유형 Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

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