IAUC120N06S5L032ATMA1 vs IAUC120N04S6L005ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N06S5L032ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6L005ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N04S6L005ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (60 V) —
트랜지스터 유형 N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_j) 120 A —
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) 3.2 mOhm —
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) 94 W —
패키지 PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8-53 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55 C to +175 C (T_j) —
Technology OptiMOS 5 Trench OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge Q_G [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] —
Part Number — IAUC120N04S6L005ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 120 A (Tj)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 187 W
RDS(on) max at VGS=10 V — 0.55 mΩ at 60 A
RDS(on) max at VGS=4.5 V — 0.85 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Total Gate Charge (Qg) — 177 nC at VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 11.203 nF at 25 V
Output Capacitance (Coss) — 2.982 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 175 pF
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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