IAUC60N06S5L073ATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUC60N06S5L073ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N08S5N043ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUC60N06S5L073ATMA1 | IAUC100N08S5N043ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.41 | $1.72 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.3 mΩ | — |
| Total Gate Charge (QG) | 17.4 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55°C to +175°C |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (Trench) |
| 핀 수 | 8 | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive grade | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] | — |
| Part Series | — | IAUC / OptiMOS 5 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 100 A (package limited) |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | — | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | — | 4.3 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 125 W (T<sub>C</sub>) |
| 핀 수 | — | 8 |
| 습도 민감도 레벨 (MSL) | — | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Channel Mode | — | Enhancement |