IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUCN04S6N009TATMA1 비교

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Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.38 $1.71
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8-43 PG-LHDSO-10-2 (SSO10T)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench OptiMOS 6 trench MOSFET
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS 상태 Compliant —
핀 수 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40 V
Part Number — IAUCN04S6N009T
Ordering Code (MPN) — IAUCN04S6N009TATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) — 330 A
Power Dissipation (PD, at Tc) — 178 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.9 mΩ
Automotive Qualification — AEC-Q101
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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