IAUCN04S7L014ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L014ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7N015GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ 활성
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IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.38 $2.21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Automotive —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.43 mΩ —
게이트 임계 전압 [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] —
Power Dissipation (Pd) [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) —
패키지 PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
동작 접합 온도 — -55C to +175C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

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