IAUCN04S7L014ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L014ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7N037GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 - 40V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L014ATMA1 ✓ 활성
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7L014ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.38 $0.89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Automotive OptiMOS 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 120 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.43 mΩ —
게이트 임계 전압 [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] —
Power Dissipation (Pd) [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
패키지 PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Configuration Single N-Channel MOSFET —
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Automotive Qualification — AEC-Q101
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청