IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7L050HATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7L050HATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.83 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
Configuration Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C 65 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.04 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 40 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
패키지 PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS 상태 Compliant —
Automotive Qualification AEC-Q101 (family-level, automotive grade) AEC-Q101
Technology Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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