IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN08S7N034ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC50N08S5L096ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN08S7N034ATMA1 | IAUC50N08S5L096ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.48 | $0.98 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 120 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | 3.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | 3.2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V | — |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | 1.27 nF | — |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | 3.115 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | 23 pF | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 118 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55°C to +175°C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | MSL 1 (unlimited floor life) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 50 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) | — | 60 W (Tc) |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +175°C |
| Lead-Free | — | Yes |