IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN10S5L280DATMA1 제조: Infineon 및 IAUC100N10S5L054ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.62 $1.92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
패키지 PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench
동작 온도 범위 -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C
핀 수 8 —
MSL 레벨 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청