IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs IAUZ40N06S5N050ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N06S5L050ATMA1 제조: Infineon 및 IAUZ40N06S5N050ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUZ40N06S5L050ATMA1 | IAUZ40N06S5N050ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.71 | $0.78 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] | — |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | 90 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | 5 mΩ | — |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | 6.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | 2.2 V at 29 µA | — |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | 28.2 nC | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 71 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) | PG-TSDSON-8-33 (3.3 x 3.3 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) | OptiMOS 5 (Trench) |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on), typ) | — | 5 mΩ at VGS=10 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.7 V |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| 핀 수 | — | 8 |
| Thermal Resistance (RthJC, max) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| Packaging | — | Tape & Reel |