IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUZ40N08S5N100ATMA1 제조: Infineon 및 IAUT300N10S5N015ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ 활성
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IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $4.10
Technology OptiMOS-5 N-Channel MOSFET OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 40 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 68 W —
On-Resistance RDS(on) max 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ 24.2 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 1591 pF @ VDS=40 V —
Gate-Source Voltage VGS max ±20 V —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C
패키지 PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm PG-HSOF-8-1 (HSOF-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260°C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant —
Channel Type N-Channel —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 300 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
RDS(on) (typ, VGS=10V) — 1.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
RoHS Compliance — RoHS compliant (Green product)
Avalanche Tested — 100% avalanche tested
Polarity — N-Channel
Mode of Operation — Enhancement-mode

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