IPB024N10N5ATMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB024N10N5ATMA1 제조: Infineon 및 IPD068N10N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB024N10N5ATMA1 | IPD068N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.86 | $0.65 |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel MOSFET (trench, shielded gate) | OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 250 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Input Capacitance Ciss | [DATA_NEEDED: Ciss value] | — |
| Output Capacitance Coss | [DATA_NEEDED: Coss value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr value] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (junction) | — |
| 패키지 | PG-TO263-7 (D2PAK-7) | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) | 1 |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| 할로겐 프리 | Yes (per Infineon product family policy) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD068N10N3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 90 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 6.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2.0 V to 4.0 V (typical) |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| Qualification | — | Industrial (non-automotive) |