IPB107N20N3GATMA1 vs IPB072N15N3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB107N20N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPB072N15N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB107N20N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $2.84
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55 C to +175 C
패키지 PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Drain, Source, Gate) + Tab —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 (trench MOSFET)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) — [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed I_DM]
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 300 W
R_DS(on) typical at VGS=10V — 7.2 mOhm
R_DS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse E_AS)
Intrinsic Body Diode — Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable)
Manufacturer Ordering Code Suffix — GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs)

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