IPB90N06S4L04ATMA2 vs IPD031N03LGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB90N06S4L04ATMA2 제조: Infineon 및 IPD031N03LGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPB90N06S4L04ATMA2 IPD031N03LGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.94 $0.41
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB90N06S4L04ATMA2 —
Technology OptiMOS T2, N-channel enhancement mode MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) 360 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 150 W —
On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) 3.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (unlimited floor life) 1
Peak Reflow Temperature 260 °C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS / Halogen-Free Yes (Green Product) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C — 90 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 94 W (Tc)
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.1 mΩ
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs]
Output Charge (Qoss) — Ultra low (per datasheet tagline)
동작 온도 — -55 °C to +175 °C (junction)
Mounting Tab — Drain (electrically connected)
Avalanche Energy Rated — Yes (per OptiMOS 3 datasheet family)
RoHS 상태 — Compliant

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