IPC100N04S5L1R1ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPC100N04S5L1R1ATMA1 제조: Infineon 및 IPC100N04S5L1R5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPC100N04S5L1R5ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IPC100N04S5L1R5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.86 $1.18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 40 V OptiMOS-5 40 V
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.1 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic Level —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C -55C to +175C
패키지 PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (unlimited floor life, 260 °C peak reflow) MSL1 (260C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% avalanche tested 100%
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Polarity / Channel Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 115 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 1.5 mOhm (typ)
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V — 1.8 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS 상태 — Compliant (Green Product)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청