IPC50N04S55R8ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPC50N04S55R8ATMA1 제조: Infineon 및 IPC50N04S5L5R5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.61 $0.36
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 50 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc 42 W —
R_DS(on) Max (V_GS=10V) 5.8 mΩ —
Output Capacitance (C_oss) 305 pF —
Gate Threshold (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
패키지 PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested
RoHS / Green RoHS compliant, Green Product —
Polarity Enhancement Mode —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

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